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DMN6040SSDQ-13
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN6040SSDQ-13
Codice Prodotto3944124RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N5A
Corrente di drain continua (Id) canale P5A
Resistenza RdsON canale N0.03ohm
Resistenza RdsON canale P0.03ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.7W
Dissipazione di potenza canale P1.7W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5A
Resistenza RdsON canale P
0.03ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.7W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5A
Resistenza RdsON canale N
0.03ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
1.7W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto