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DMN5L06DWK-7
MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 305 mA, 2 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN5L06DWK-7
Codice Prodotto1713850RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N50V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N305mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N2ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
DMN5L06DWK-7 è un MOSFET ad arricchimento a doppio canale N con 1V di bassa resistenza di ON massima. Offre una tensione di soglia del gate molto bassa e bassa capacità elettrica di ingresso.
- Velocità di commutazione rapida
- Bassa dispersione in ingresso/uscita
- Package ultra piccolo a montaggio superficiale
- Dispositivo ecologico, privo di alogeni
- Classe di infiammabilità UL94V-0
- Certificato secondo gli standard AEC-Q101 di affidabilità elevata
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
50V
Corrente di drain continua (Id) canale N
305mA
Resistenza RdsON canale N
2ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000006
Tracciabilità del prodotto