Stampa pagina
DMN53D0LDW-7
MOSFET dual-gate, canale N, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
16 383 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 500+ | € 0,0686 |
| 1500+ | € 0,0604 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 500
Più: 5
€ 39,30 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN53D0LDW-7
Codice Prodotto3405243RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N50V
Tensione drain-source (Vds) canale P50V
Corrente di drain continua (Id) canale N360mA
Corrente di drain continua (Id) canale P360mA
Resistenza RdsON canale N1.6ohm
Resistenza RdsON canale P1.6ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N310mW
Dissipazione di potenza canale P310mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
50V
Corrente di drain continua (Id) canale P
360mA
Resistenza RdsON canale P
1.6ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
310mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
50V
Corrente di drain continua (Id) canale N
360mA
Resistenza RdsON canale N
1.6ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
310mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000045
Tracciabilità del prodotto