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DMN32D4SDW-7
MOSFET dual-gate, canale N, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN32D4SDW-7
Codice Prodotto3944109
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N650mA
Corrente di drain continua (Id) canale P650mA
Resistenza RdsON canale N0.2ohm
Resistenza RdsON canale P0.2ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N350mW
Dissipazione di potenza canale P350mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
650mA
Resistenza RdsON canale P
0.2ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
350mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
650mA
Resistenza RdsON canale N
0.2ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto