Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
2 486 A Stock
Ti serve altro?
.
.
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,700 |
| 500+ | € 1,370 |
| 1000+ | € 1,290 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 175,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMHT10H032LFJ-13
Codice Prodotto3589313RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id6A
Tensione drain-source (Vds) canale N100V
Tensione Drain Source Vds100V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Corrente di drain continua (Id) canale N6A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Tensione di test di Rds(on)10V
Resistenza RdsON canale N0.033ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Resistenza RdsON canale P-
Dissipazione di potenza900mW
Stile di Case del TransistorDFN5045
Numero di pin12Pin
Dissipazione di potenza canale N900mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N
100V
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
6A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Dissipazione di potenza
900mW
Numero di pin
12Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
6A
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale N
0.033ohm
Resistenza RdsON canale P
-
Stile di Case del Transistor
DFN5045
Dissipazione di potenza canale N
900mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000121
Tracciabilità del prodotto