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DMG1029SV-7
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1029SV-7
Codice Prodotto2543528
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N500mA
Corrente di drain continua (Id) canale P360mA
Resistenza RdsON canale N1.7ohm
Resistenza RdsON canale P4ohm
Stile di Case del TransistorSOT-563
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N450mW
Dissipazione di potenza canale P450mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
360mA
Resistenza RdsON canale P
4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
450mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
500mA
Resistenza RdsON canale N
1.7ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-563
Dissipazione di potenza canale N
450mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto