Stampa pagina
DMG1016UDW-7
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
7 724 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,364 |
| 50+ | € 0,226 |
| 100+ | € 0,143 |
| 500+ | € 0,106 |
| 1500+ | € 0,0938 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,82 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMG1016UDW-7
Codice Prodotto2543527
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N845mA
Corrente di drain continua (Id) canale P845mA
Resistenza RdsON canale N0.3ohm
Resistenza RdsON canale P0.3ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N330mW
Dissipazione di potenza canale P330mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
845mA
Resistenza RdsON canale P
0.3ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
330mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
845mA
Resistenza RdsON canale N
0.3ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
330mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto