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DMC2038LVT-7
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMC2038LVT-7
Codice Prodotto3127305
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N3.7A
Corrente di drain continua (Id) canale P2.6A
Resistenza RdsON canale N0.035ohm
Resistenza RdsON canale P0.074ohm
Stile di Case del TransistorTSOT-26
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N800mW
Dissipazione di potenza canale P800mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
DMC2038LVT-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include motor control, power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- 20V drain source voltage (P channel/N channel)
- 3.7A continuous drain current (P channel/N channel)
- 0.027ohm drain source on state resistance (P channel/N channel)
- 800mW power dissipation (P channel/N channel)
- TSOT26 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
2.6A
Resistenza RdsON canale P
0.074ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
800mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
3.7A
Resistenza RdsON canale N
0.035ohm
Stile di Case del Transistor
TSOT-26
Dissipazione di potenza canale N
800mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000112
Tracciabilità del prodotto