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BSS8402DW-7-F
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 60 V, 50 V, 115 mA, 130 mA, 7.5 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreBSS8402DW-7-F
Codice Prodotto1713834
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P50V
Corrente di drain continua (Id) canale N115mA
Corrente di drain continua (Id) canale P130mA
Resistenza RdsON canale N7.5ohm
Resistenza RdsON canale P10ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N200mW
Dissipazione di potenza canale P200mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
BSS8402DW-7-F is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, complementary pair
- Drain source voltage is 60V at TA = +25°C, P/N channel
- Continuous drain current is 115mA at TA = +25°C, P/N channel
- Drain source on state resistance is 13.5ohm at TA = +25°C, P/N channel
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C, P/N channel
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
50V
Corrente di drain continua (Id) canale P
130mA
Resistenza RdsON canale P
10ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
200mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
115mA
Resistenza RdsON canale N
7.5ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
200mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per BSS8402DW-7-F
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000006
Tracciabilità del prodotto