Stampa pagina
MD2001FX
Transistore singolo bipolare (BJT), NPN, 700 V, 12 A, 58 W, ISOWATT-218FX, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
420 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
A disposizione fino ad esaurimento scorte
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,760 |
| 10+ | € 2,120 |
| 100+ | € 1,200 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,76 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreMD2001FX
Codice Prodotto2344076
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore700V
Corrente di Collettore continua12A
Dissipazione di potenza58W
Stile di Case del TransistorISOWATT-218FX
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Numero di pin3Pin
Frequenza di transizione-
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo4.5hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
The MD2001FX is a 700V High Voltage NPN Power Transistor for standard definition CRT display. It is manufactured using diffused collector in planar technology adopting new and enhanced high voltage structure. The new MD series show improved silicon efficiency bringing updated performance to the horizontal deflection stage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- State-of-the-art technology - Diffused collector enhanced generation
- Stable performances versus operating temperature variation
- Low base-drive requirements
- Tight hFE range at operating collector current
- Fully insulated
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Corrente di Collettore continua
12A
Stile di Case del Transistor
ISOWATT-218FX
Numero di pin
3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
4.5hFE
Gamma di prodotti
-
Massima tensione Collettore-Emettitore
700V
Dissipazione di potenza
58W
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Frequenza di transizione
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.007711
Tracciabilità del prodotto