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EFC4K110NUZTDG
MOSFET dual-gate, canale N, 24 V, 25 A, 2.95 mohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreEFC4K110NUZTDG
Codice Prodotto3616857
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N24V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N25A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N2.95mohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorWLCSP
Numero di pin10Pin
Dissipazione di potenza canale N2.5W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
10Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensione drain-source (Vds) canale N
24V
Corrente di drain continua (Id) canale N
25A
Resistenza RdsON canale N
2.95mohm
Stile di Case del Transistor
WLCSP
Dissipazione di potenza canale N
2.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1