MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
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Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 5+ € 0,784 50+ € 0,565 100+ € 0,386 500+ € 0,322 1000+ € 0,274 | Min: 5 / Mult: 5 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 6A | 6A | 0.038ohm | 0.038ohm | SOIC | 8Pin | 2.78W | 2.78W | 150°C | |||||
Unità, fornito in bobina completa Full Reel Opzioni di imballaggio | 2500+ € 0,243 7500+ € 0,226 | Min: 2500 / Mult: 2500 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 6A | 6A | 0.038ohm | 0.038ohm | SOIC | 8Pin | 2.78W | 2.78W | 150°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,386 500+ € 0,322 1000+ € 0,274 | Min: 100 / Mult: 5 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 6A | 6A | 0.038ohm | 0.038ohm | SOIC | 8Pin | 2.78W | 2.78W | 150°C |