Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
25 074 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,436 |
10+ | € 0,271 |
100+ | € 0,172 |
500+ | € 0,129 |
1000+ | € 0,110 |
5000+ | € 0,0901 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 5
Più: 5
€ 2,18 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePMGD290UCEAX
Codice Prodotto2357127
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N725mA
Corrente di drain continua (Id) canale P725mA
Resistenza RdsON canale N0.29ohm
Resistenza RdsON canale P0.29ohm
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N445mW
Dissipazione di potenza canale P445mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
PMGD290UCEA è un FET ad arricchimento a canale N/P complementare in un piccolo package di plastica SMT che sfrutta la tecnologia MOSFET. È adatto per applicazioni con driver di relè, driver di linea ad alta velocità, interruttori di carico low side e circuiti di commutazione.
- Caratteristiche di commutazione molto rapida
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
725mA
Resistenza RdsON canale P
0.29ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
445mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
725mA
Resistenza RdsON canale N
0.29ohm
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Dissipazione di potenza canale N
445mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001