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Informazioni sui prodotti
ProduttoreWOLFSPEED
Cod. produttoreE3M0120090D
Codice Prodotto2916497
Gamma ProdottiE
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id23A
Tensione Drain Source Vds900V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.12ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.1V
Dissipazione di potenza97W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiE
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Alternative per E3M0120090D
2 prodotti trovati
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
23A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.12ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.1V
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
900V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
97W
Gamma di prodotti
E
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001