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CCS020M12CM2
MOSFET al carburo di silicio, mezzo ponte, sei canali N, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreWOLFSPEED
Cod. produttoreCCS020M12CM2
Codice Prodotto2449317
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreWOLFSPEED
Cod. produttoreCCS020M12CM2
Codice Prodotto2449317
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETmezzo ponte
Tipo di canalesei canali N
Corrente Continua di Drain Id29.5A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorModule
Numero di pin28Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.2V
Dissipazione di potenza167W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Panoramica del prodotto
The CCS020M12CM2 is a MOSFET six-pack (three-phase) silicon Carbide Module with ultra low loss and high frequency operation.
- Zero Reverse Recovery Current from Diode
- Zero Turn-off Tail Current from MOSFET
- Normally-off, Fail-safe Device Operation
- Ease of Paralleling
- Copper Baseplate and Aluminium Nitride Insulator
- Enables Compact and Lightweight Systems
- High Efficiency Operation
- Mitigates Over-voltage Protection
- Reduced Thermal Requirements and System Cost
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Note
Materiale REACH di alta preoccupazione (SVHC) disponibile su richiesta.
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
mezzo ponte
Corrente Continua di Drain Id
29.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
28Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.2V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Tipo di canale
sei canali N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
Module
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
167W
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.273062