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Informazioni sui prodotti
ProduttoreWOLFSPEED
Cod. produttoreC2M0045170P
Codice Prodotto2893480
Gamma ProdottiC2M
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id72A
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.045ohm
Stile di Case del TransistorTO-247 Plus
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza520W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiC2M
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Alternative per C2M0045170P
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
72A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.045ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Stile di Case del Transistor
TO-247 Plus
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
520W
Gamma di prodotti
C2M
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005
Tracciabilità del prodotto