C2M0025120D
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
Il C2M0025120D di Cree è uno Z-FET di seconda generazione, ossia un MOSFET di potenza al carburo di silicio a canale N per foro passante in un package TO-247. Questo MOSFET è caratterizzato da tecnologia MOSFET SiC C2M, alta tensione di bloccaggio con bassa resistenza di On, alta velocità di commutazione con basse capacità elettriche, facile da mettere in parallelo e semplice da pilotare, robustezza in effetto a valanga, resistenza al latch up, efficienza di sistema elevata, requisiti di raffreddamento ridotti e densità di potenza aumentata. Le applicazioni includono gli inverter solari, gli alimentatori commutati, i convertitori DC-DC ad alta tensione e i caricabatterie.
- Tensione drain-source (Vds) 1,2kV
- Corrente di scarico continuo: 90A
- Dissipazione di potenza: 463W
- Temperatura di giunzione operativa: da -55°C a 150°C
- Bassa resistenza di stato ON di 25mohm con Vgs di 20V
Avvertenze
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Specifiche tecniche
configurazione singola
90A
0.025ohm
3Pin
2.4V
150°C
-
canale N
1.2kV
TO-247
20V
463W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
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RoHS
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Certificato di conformità del prodotto