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WNSC2D301200W6Q
Diodo Schottky al carburo di silicio, singolo, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
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| Quantità | |
|---|---|
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| 10+ | € 2,750 |
| 100+ | € 2,280 |
| 500+ | € 2,040 |
| 1000+ | € 2,000 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreWEEN SEMICONDUCTORS
Cod. produttoreWNSC2D301200W6Q
Codice Prodotto4697772
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva1.2kV
Corrente diretta media30A
Carica Qc capacitiva totale68nC
Tipo di Case del DiodoTO-247
Numero di Pin2 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodoforo passante (THT)
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
1.2kV
Carica Qc capacitiva totale
68nC
Numero di Pin
2 Pin
Montaggio del diodo
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
30A
Tipo di Case del Diodo
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001