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WNSC2D04650DJ
Diodo Schottky al carburo di silicio, singolo, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreWEEN SEMICONDUCTORS
Cod. produttoreWNSC2D04650DJ
Codice Prodotto3703838
Datasheet tecnico
Gamma di prodotti-
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva650V
Corrente diretta media4A
Carica Qc capacitiva totale6.5nC
Tipo di Case del DiodoTO-252 (DPAK)
Numero di Pin3 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodomontaggio superficiale
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)0
Alternative per WNSC2D04650DJ
1 prodotto trovato
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
-
Tensione inversa di picco ripetitiva
650V
Carica Qc capacitiva totale
6.5nC
Numero di Pin
3 Pin
Montaggio del diodo
montaggio superficiale
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
0
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
4A
Tipo di Case del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)0
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004082