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VS-FC420SA10
Transistore MOSFET, canale N, 435A, 100V, 0.0013 ohm, 10V, 2,9V, SOT-227
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreVS-FC420SA10
Codice Prodotto3513307
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
1 286 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreVS-FC420SA10
Codice Prodotto3513307
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id435A
Tensione Drain Source Vds100V
Resistenza Drain-Source in conduzione2150µohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0013ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.8V
Dissipazione di potenza652W
Dissipazione di Potenza Pd652W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiTrenchFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Panoramica del prodotto
Il VS-FC420SA10 è un MOSFET di potenza singolo interruttore e modulo di potenza.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, MOSFET di potenza TrenchFET®
- Bassa capacità di ingresso (Ciss), perdite di commutazione e conduzione ridotte
- Bassissima carica di gate (Qg), resiste all'energia di valanga (UIS)
- Approvato UL file E78996
- Tensione drain-source: 100V max (TC = 25°C)
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 1,3mohm tip. (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Corrente di drain continua, VGS a 10V: 435A max (TC = 25°C)
- Tensione di isolamento (RMS): 2500V max (da qualsiasi terminale all'involucro, t = 1 min, TC = 25°C)
- Tempo di salita: 275ns tip. (VDD = 50V, TJ = 25°C), tempo di discesa: 172ns tip. (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- Package SOT-227, temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a +175°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
435A
Resistenza Drain-Source in conduzione
2150µohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
652W
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0013ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.8V
Dissipazione di Potenza Pd
652W
Gamma di prodotti
TrenchFET Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.04