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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSUD08P06-155L-GE3
Codice Prodotto2679715
Gamma ProdottiTrenchFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id8.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.155ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza20.8W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- P-channel 60V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® power MOSFETs
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
8.2A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
20.8W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.155ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000426
Tracciabilità del prodotto