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SQJQ510ER-T1_GE3
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 225 A, 0.00186 ohm, PowerPAK 8 x 8LR
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJQ510ER-T1_GE3
Codice Prodotto4644752RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id225A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00186ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.3V
Dissipazione di potenza214W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00186ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.3V
Numero di pin
8Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corrente Continua di Drain Id
225A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
214W
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto