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SQJ161ELP-T1_GE3
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 118 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 1,080 |
| 500+ | € 0,898 |
| 1000+ | € 0,826 |
| 5000+ | € 0,718 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ161ELP-T1_GE3
Codice Prodotto4588044RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id118A
Resistenza Drain-Source in conduzione8800µohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza245W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
8800µohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
4Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Corrente Continua di Drain Id
118A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
245W
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto