Stampa pagina
SQJ152EP-T1_GE3
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 114 A, 0.0051 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ152EP-T1_GE3
Codice Prodotto3765815RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 31 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,557 |
| 500+ | € 0,455 |
| 1000+ | € 0,394 |
| 5000+ | € 0,355 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 60,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ152EP-T1_GE3
Codice Prodotto3765815RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id114A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0051ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.004ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza136W
Dissipazione di Potenza Pd136W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- MOSFET a canale N automotive da 40V (D-S) a 175°C
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
- Qualificato AEC-Q101
- Testato Rg e UIS al 100%
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0051ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
136W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
114A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.004ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Dissipazione di Potenza Pd
136W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto