Stampa pagina
SQJ138ELP-T1_GE3
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 315 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO-8L
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ138ELP-T1_GE3
Codice Prodotto3773146RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
228 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,864 |
| 500+ | € 0,688 |
| 1000+ | € 0,624 |
| 5000+ | € 0,587 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 91,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQJ138ELP-T1_GE3
Codice Prodotto3773146RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id315A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0012ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0015ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO-8L
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza500W
Dissipazione di Potenza Pd500W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0012ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO-8L
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
500W
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
315A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0015ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd
500W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto