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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQ9407EY-T1_GE3
Codice Prodotto3470712
Gamma ProdottiTrenchFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id4.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.067ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza3.75W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiTrenchFET
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
4.6A
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.75W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.067ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001