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SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIS892ADN-T1-GE3
Codice Prodotto2283695RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id28A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.027ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza52W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
L’SIS892ADN-T1-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento a canale N TrenchFET® 100VDS adatto per gli alimentatori delle telecomunicazioni, interruttori a lato primario e applicazioni di raddrizzamento sincrono.
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
- È in grado di operare con un gate drive di 5V
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di funzionamento: da -55 a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
28A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
52W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.027ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIS892ADN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00012
Tracciabilità del prodotto