Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 762 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,803 |
| 10+ | € 0,541 |
| 100+ | € 0,379 |
| 500+ | € 0,300 |
| 1000+ | € 0,272 |
| 5000+ | € 0,249 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 0,80 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIRA18DP-T1-GE3
Codice Prodotto2364097
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id33A
Resistenza Drain-Source in conduzione7500µohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.2V
Dissipazione di potenza14.7W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
MOSFET da 30V (D-S) a canale N adatto per l'uso nella conversione DC/DC, protezione delle batterie, commutazione di carico e inverter DC/AC.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
- Testato Rg e UIS al 100%
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
33A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
14.7W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
7500µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIRA18DP-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00012
Tracciabilità del prodotto