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SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 60 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIRA00DP-T1-GE3
Codice Prodotto2114701RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id60A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.001ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.1V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SIRA00DP-T1-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento TrenchFET® a canale N, 30VDS, adatto per il raddrizzamento sincrono, diodi O-ring, DC-DC ad alta densità di potenza, VRM e applicazioni DC-DC integrate.
- Testato per Rg al 100%
- Testato UIS al 100%
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di esercizio: da -55 a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
60A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.001ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.1V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIRA00DP-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000157
Tracciabilità del prodotto