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SIR880BDP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR880BDP-T1-RE3
Codice Prodotto3765821
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 27 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,480 |
| 10+ | € 1,050 |
| 100+ | € 0,728 |
| 500+ | € 0,599 |
| 1000+ | € 0,537 |
| 5000+ | € 0,468 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,48 (IVA esc)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR880BDP-T1-RE3
Codice Prodotto3765821
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id70.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0065ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.4V
Dissipazione di potenza71.4W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET a canale N da 80V (D-S) si usa tipicamente nelle applicazioni come raddrizzamento sincrono, commutazione a lato primario, convertitori DC/DC, OR-ing, alimentatori, controllo degli azionamenti motori, commutazione di carico e batterie.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
- Bassissima resistenza RDS, cifra di merito (FOM) Qg
- Sintonizzato per bassissima RDS - FOM Qoss
- Testato Rg e UIS al 100%
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
70.6A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
71.4W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0065ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIR880BDP-T1-RE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001