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SIR876BDP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR876BDP-T1-RE3
Codice Prodotto3765823
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
27 552 A Stock
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| Quantità | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,952 |
| 100+ | € 0,674 |
| 500+ | € 0,500 |
| 1000+ | € 0,459 |
| 5000+ | € 0,411 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR876BDP-T1-RE3
Codice Prodotto3765823
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id51.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0108ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.4V
Dissipazione di potenza71.4W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET a canale N da 100V (D-S) si usa tipicamente in applicazioni come raddrizzamento sincrono, commutazione primary side, convertitori DC/DC, alimentatori e controllo degli azionamenti motori.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
- Bassissima resistenza RDS x cifra di merito (FOM) Qg
- Sintonizzato per bassissima RDS x FOM Qoss
- Testato Rg e UIS al 100%
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
51.4A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
71.4W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0108ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto