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SIR610DP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 200 V, 35.4 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR610DP-T1-RE3
Codice Prodotto2747691RL
Gamma ProdottiThunderFET
Datasheet tecnico
10 604 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR610DP-T1-RE3
Codice Prodotto2747691RL
Gamma ProdottiThunderFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id35.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0319ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiThunderFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
MOSFET a canale N da 200V (D-S) adatto per l'uso in telecomunicazione fissa, convertitori DC/DC, commutatori a lato primario e secondario, raddrizzamento sincrono, illuminazione LED, alimentatori e amplificatori Classe D.
- La tecnologia ThunderFET® ottimizza l'equilibrio di RDS(on), Qi, Qsw e Qoss
- Testato Rg e UIS al 100%
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
35.4A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tensione Drain Source Vds
200V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0319ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
ThunderFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000178
Tracciabilità del prodotto