Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR584DP-T1-RE3
Codice Prodotto3906511RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V Series
Datasheet tecnico
5 923 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,953 |
500+ | € 0,886 |
1500+ | € 0,868 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 100,30 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR584DP-T1-RE3
Codice Prodotto3906511RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0031ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0031ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza83.3W
Dissipazione di Potenza Pd83.3W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen V Series
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0031ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
83.3W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen V Series
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0031ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
83.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto