Stampa pagina
SIR582DP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR582DP-T1-RE3
Codice Prodotto3906510RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V Series
Datasheet tecnico
4 886 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,997 |
| 500+ | € 0,797 |
| 1500+ | € 0,758 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 104,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR582DP-T1-RE3
Codice Prodotto3906510RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen V Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id116A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0028ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0028ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza92.5W
Dissipazione di Potenza Pd92.5W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen V Series
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0028ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
92.5W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen V Series
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
116A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0028ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
92.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto