Stampa pagina
SIR5812DP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 45.3 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR5812DP-T1-RE3
Codice Prodotto4349365RL
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 38 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,549 |
| 500+ | € 0,433 |
| 1000+ | € 0,404 |
| 5000+ | € 0,342 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 59,90 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR5812DP-T1-RE3
Codice Prodotto4349365RL
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id45.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0135ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza50W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
45.3A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
50W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0135ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (1)
Alternative per SIR5812DP-T1-RE3
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000013
Tracciabilità del prodotto