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SIR450DP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 45 V, 113 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR450DP-T1-RE3
Codice Prodotto3765819RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
4 805 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR450DP-T1-RE3
Codice Prodotto3765819RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id113A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0015ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione1800µohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.3V
Dissipazione di potenza48W
Dissipazione di Potenza Pd48W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 45V drain-source break-down voltage
- Tuned for low Qg and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and motor drive control
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0015ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
48W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
113A
Resistenza Drain-Source in conduzione
1800µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.3V
Dissipazione di Potenza Pd
48W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto