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SIR186LDP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR186LDP-T1-RE3
Codice Prodotto3677852RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
4 087 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR186LDP-T1-RE3
Codice Prodotto3677852RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id80.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione4400µohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0035ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza57W
Dissipazione di Potenza Pd57W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
Il MOSFET a canale N da 60V (D-S) nel package PowerPAK SO-8 si usa tipicamente nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono, interruttori su lato primario, convertitori DC/DC e commutazione degli azionamenti dei motori.
- MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV
- Bassissima resistenza RDS, cifra di merito (FOM) Qg
- Sintonizzato per bassissima RDS - FOM Qoss
- Testato Rg e UIS al 100%
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
4400µohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
57W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
80.3A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0035ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Dissipazione di Potenza Pd
57W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto