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SIR106DP-T1-RE3
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR106DP-T1-RE3
Codice Prodotto2846623RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
939 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIR106DP-T1-RE3
Codice Prodotto2846623RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id65.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.008ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.4V
Dissipazione di potenza83.3W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
SIR106DP-T1-RE3 is a N-Channel 100 V (D-S) MOSFET. Application includes synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, motor drive control, battery and load switch.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
- 100 % Rg and UIS tested
- 100V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250μA)
- 0.0080 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS =10V, ID = 15A)
- 0.0090 ohm maximum drain-source on-state resistance (VGS = 7.5V, ID = 10A)
- 32nC typical total gate charge (VDS = 50V, VGS = 7.5V, ID = 15A)
- 65.8A maximum continuous source-drain diode current (TC = 25°C)
- PowerPAK SO-8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
65.8A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
83.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.008ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIR106DP-T1-RE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074
Tracciabilità del prodotto