Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIJ450DP-T1-GE3
Codice Prodotto3765818RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
29 960 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,749 |
500+ | € 0,587 |
1000+ | € 0,543 |
5000+ | € 0,486 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 79,90 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIJ450DP-T1-GE3
Codice Prodotto3765818RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id113A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.00155ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione1900µohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.3V
Dissipazione di Potenza Pd48W
Dissipazione di potenza48W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
- Flexible leads provide resilience to mechanical stress
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and DC/AC inverters
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.00155ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
48W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
113A
Resistenza Drain-Source in conduzione
1900µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.3V
Dissipazione di potenza
48W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto