Stampa pagina
960 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
A disposizione fino ad esaurimento scorte
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,690 |
| 10+ | € 0,811 |
| 100+ | € 0,790 |
| 500+ | € 0,727 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,69 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHP8N50D-GE3
Codice Prodotto2283623
Gamma ProdottiD
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id8.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.85ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza156W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiD
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Alternative per SIHP8N50D-GE3
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
- Low figure of merit Ron X Qg
- 100% Avalanche rated
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
8.7A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
156W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.85ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
D
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005443
Tracciabilità del prodotto