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SIHP33N60E-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHP33N60E-GE3
Codice Prodotto2364088
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id33A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.099ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza278W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
MOSFET di potenza di serie E adatto per l'uso negli alimentatori di telecomunicazioni e server, alimentatori SMPS,alimentatori di correzione del fattore di potenza (PFC), illuminazione (High-intensity discharge (HID), lampada ballast a fluorescenza), industriale (saldatura, riscaldamento a induzione, convertitori di frequenza dei motori, caricabatterie, energie rinnovabili e solare (inverter PV).
- Ron x Qi a bassa cifra di merito (FOM)
- Bassa capacità elettrica in ingresso (Ciss)
- Perdite di commutazione e condotta ridotte
- Carica di gate (Qi) ultra ridotta
- Classe di energia a valanga (UIS)
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
33A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
278W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.099ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIHP33N60E-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002853
Tracciabilità del prodotto