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SIHH155N60EF-T1GE3
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHH155N60EF-T1GE3
Codice Prodotto4154254RL
Gamma ProdottiEF Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id18A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.159ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza156W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiEF Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
18A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
156W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.159ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
EF Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001