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| Quantità | |
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| 10+ | € 4,460 |
| 100+ | € 3,310 |
| 500+ | € 3,250 |
| 1000+ | € 3,190 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHH125N60EF-T1GE3
Codice Prodotto3253833RL
Gamma ProdottiEF
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id23A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.109ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.125ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di Potenza Pd156W
Dissipazione di potenza156W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiEF
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
SIHH125N60EF-T1GE3 is an EF series power MOSFET with fast body diode. Application includes server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting (lighting), welding, induction heating, motor drives, battery chargers, solar (PV inverters) (industrial).
- 4th generation E series technology low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er)
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
- 600V drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250μA )
- 0.109ohm typical drain-source on-state resistance (VGS = 10V, ID = 12A)
- 31nC typical total gate charge (VGS = 10V, ID = 12A, VDS = 480V)
- 12nC typical gate-source charge (VGS = 10V, ID = 12A, VDS = 480V)
- Single configuration
- PowerPAK package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.109ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
156W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
EF
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
23A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.125ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
156W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000125
Tracciabilità del prodotto