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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHD7N60E-GE3
Codice Prodotto2283642
Gamma ProdottiE
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.6ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza78W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiE
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Lo SIHD7N60E-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento con canale N a 650V e con configurazione singola. È adatto ad alimentatori PFC, telecom, server e SMPS, comandi motore, a luce solare, applicazioni con riscaldamento per induzione, energia rinnovabile e saldatura.
- Basso RON x Qg di cifra di merito (FOM)
- Capacità elettrica in ingresso bassa (CISS)
- Perdite di commutazione e condotta ridotte
- Carica del gate ultra bassa
- Classe di energia a valanga
- Privo di alogeni
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
7A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
78W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.6ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
E
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIHD7N60E-GE3
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002