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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHD5N50D-GE3
Codice Prodotto2283609
Gamma ProdottiD
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id5.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.5ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza104W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiD
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Alternative per SIHD5N50D-GE3
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
SIHD5N50D-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento con canale N, serie D, adatto per l’elettronica di consumo, gli alimentatori delle telecomunicazioni e le applicazioni di caricamento delle batterie.
- Bassa resistenza in conduzione specifica
- Capacità elettrica in ingresso bassa (CISS)
- Perdite di commutazione capacitiva ridotte
- Alta robustezza del diodo di body
- Classe di energia a valanga (UIS)
- Circuiteria di gate drive semplice
- Ron x Qg a bassa cifra di merito (FOM)
- Commutazione rapida
- Privo di alogeni
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.3A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
104W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.5ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
D
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto