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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHD12N50E-GE3
Codice Prodotto2471940RL
Gamma ProdottiE
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id10.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.33ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.33ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza114W
Dissipazione di Potenza Pd114W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiE
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The SIHD12N50E-GE3 is an E series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for computing, lighting, consumer electronics, switch mode power supplies and hard switched topology applications.
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching
- Reduced conduction losses
- Low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Halogen-free
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.33ohm
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
114W
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
E
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
10.5A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.33ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di Potenza Pd
114W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002117
Tracciabilità del prodotto