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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIHB6N80AE-GE3
Codice Prodotto4139020RL
Gamma ProdottiE Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds800V
Corrente Continua di Drain Id5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.95ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza62.5W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiE Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
62.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
800V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.95ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
E Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SIHB6N80AE-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005