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SIA466EDJ-T1-GE3
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 25 A, 9500 µohm, PowerPAK SC-70, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIA466EDJ-T1-GE3
Codice Prodotto3470685
Gamma ProdottiTrenchFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id25A
Resistenza Drain-Source in conduzione9500µohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SC-70
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza19.2W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
25A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SC-70
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
19.2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
9500µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00018
Tracciabilità del prodotto