Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
13 780 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 2,310 |
10+ | € 1,720 |
100+ | € 1,270 |
500+ | € 0,975 |
1000+ | € 0,920 |
5000+ | € 0,788 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 2,31 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI7898DP-T1-GE3
Codice Prodotto1794797
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.085ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza1.9W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L’SI7898DP-T1-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento a canale N TrenchFET® 150VDS adatto per gli interruttori a lato primario degli alimentatori DC-DC e le applicazioni di avviamento dei motori industriali.
- Nuovo package PowerPAK® a bassa resistenza termica di piccole dimensioni e con basso profilo di 1,07mm.
- Ottimizzato per PWM
- Commutazione rapida
- Testato per Rg al 100%
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di funzionamento: da -55 a 150°C
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
3A
Stile di Case del Transistor
SOIC
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.9W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.085ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000225
Tracciabilità del prodotto