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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI7456DP-T1-GE3
Codice Prodotto9550704
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id5.7A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza1.9W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Alternative per SI7456DP-T1-GE3
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
SI7456DP-TI-GE3 è un MOSFET di potenza ad arricchimento a canale N TrenchFET® 100VDS adatto per gli interruttori a lato primario DC-DC e le applicazioni DC/DC full/half bridge.
- Nuovo package PowerPAK® a bassa resistenza termica di piccole dimensioni e con basso profilo di 1,07mm.
- Ottimizzato per PWM
- Commutazione rapida
- Testato per Rg al 100%
- Privo di alogeni
- Intervallo di temperatura di esercizio: da -55 a 150°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.7A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.9W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (4)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000108
Tracciabilità del prodotto